El Hybrid Memory Cube Consortium propuso una especificación más veloz y eficiente para la tecnología de cubos de memoria híbrida. La especificación HMC Gen2 duplica el rendimiento de la especificación original y podría brindar 15 veces el ancho de banda de un módulo DDR3 estándar, consumiendo un 70% menos de energía.
La nueva especificación de cubos de memoria híbrida podría acelerar los cálculos en las supercomputadoras, impulsar el cómputo en memoria (in-memory computing) para aplicaciones de bases de datos y ayudar a acelerar los tiempos de respuesta de los sitios web.
La tecnología HMC está basada en la actual tecnología DRAM DDR3, con la diferencia de que los módulos se estructuran como un cubo en lugar de colocarse en slots en las motherboards. Al apilar los chips de memoria en un cubo, es posible vincularlos a través de conexiones símil-cableadas llamadas Through Silicon Via.
HMC es vista como una tecnología vinculante para cosas tales como MRAM (RAM magnetoresistiva), RRAM (RAM resistiva) y PCM (memoria de cambio de fase) que están todavía a años de distancia de ser utilizables en forma práctica.
La especificación HMC Gen2 impulsa el rendimiento de la memoria hasta 30 Gbps, duplicando al de la especificación anterior. La especificación Gen2 estará finalizada para mediados de este año, y reemplazará a la especificación previa lanzada a mediados del año pasado.
La tecnología HMC cuenta con el respaldo de Samsung y Micron, y los miembros del consorcio incluyen a Microsoft, ARM, Altera y Xilinx. Micron lanzó productos HMC con múltiples canales de memoria que logran velocidades de 160 GBps. Con la nueva especificación, el rendimiento de esos productos podría duplicarse.
